افزایش چسبندگی سطحی لایه‌نازک اکسید‌گرافن روی بستر سیلیکون آبگریز

اصلاح سطحی الاستومر سیلیکون به منظور افزایش آبگریزی آن

حذف فسفات از آب توسط جذب سطحی بر روی نانوذرات اکسیدگرافن

زمینه و هدف: اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯿﺰان ﻓﺴﻔﺎت در ﻣﺤﯿﻂ ﻫﺎی آﺑﯽ ﺗﻮازن رﺷﺪ ﻣﻮﺟﻮدات آﺑﺰی را ﺑﻪ ﻫﻢ ﻣﯽ زﻧﺪ و ﻣﺸﮑﻼت زﯾﺴﺖ ﻣﺤﯿﻄﯽ ﺟﺪی را اﯾﺠﺎد ﻣﯽ ﮐﻨﺪ. در این مطالعه هدف بررسی آزمایشگاهی حذف یون فسفات با استفاده از نانوذرات اکسیدگرافن می باشد. روش بررسی: جاذب مورد استفاده در این تحقیق گرافن بوده که ابتدا به سنتز اکسید گرافن توسط مدل هامر پرداخته شد.جاذب سنتز شده به دلیل دارا بودن...

اصلاح سطحی الاستومر سیلیکون به منظور افزایش آبگریزی آن

بررسی خواص چسبندگی آمیزه های چسب های تماسی آکریلیک- سیلیکون

بهینه سازی رشد نانومیله های یکنواختZnO بر روی بستر سیلیکون بذردار به روش رسوب حمام شیمیایی

نانومیله­ های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه ­نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله­ های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...

سنتز نانوهرم‌های SnO2با روش هیدروترمال بر روی بستر سیلیکونی نانوساختار و مطالعه اثر مورفولوژی سیلیکون

در این پژوهش، نانوهرم­های اکسید قلع را با روش هیدروترمال در درجه حرارت پایین بر روی دو بستر سیلیکونی ساده و نانوساختار رشد شد. برای نانوساختار کردن بستر سیلیکونی، که اصطلاحا نانوخار سیلیکونی نامیده می­شود، از روش زدایش فاز پلاسما استفاده گردید. مقایسه تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نانوهرم­های سنتز شده بر روی بستر ساده و هم چنین نانوهرم­های سنتز شده بر روی بسترنانوساختار سیلیکونی تفاوت­ه...